全球范围内,氮化镓专利申请量排名前四的国家及地区是日本、中国、美国、韩国、中国台湾,其中中国专利量占全球的23%。主要机构包括:中科院、西安电子科技大学、中国电子科技集团等。这些专利布局主要集中在发光二极管、激光二极管、场效应晶体管、电极等电子器件领域以及沉积方法、外延生长等加工工艺上。
排名
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申请主体单位
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1
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中国科学院半导体研究所
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2
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住友电气工业株式会社
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3
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华灿光电(浙江)有限公司
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4
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北京大学
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5
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电子科技大学
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6
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东南大学
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7
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厦门市三安光电科技有限公司
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8
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中国电子科技集团公司第五十五研究所
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9
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中国科学院微电子研究所
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10
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西安电子科技大学
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二、我国氮化镓行业市场规模分析
整个硅产业来讲,氮化镓只占整个半导体材料中的很小一部分,射频领域是它的一个主要应用方向,目前仍旧主要应用在军工领域,2019年氮化镓行业市场规模约为9.34亿元,未来随着5G网络推广,市场规模将会迅速增长。

三、我国氮化镓行业需求分析
第三代高大禁带宽度的 半导体材料 ,氮化镓目前主要应用于射频器件、快充、 无人驾驶 和国防工业领域,目前射频器件和快充市场是氮化镓短期内将迅速增长的市场,市场占比较高。

四、我国氮化镓行业竞争情况分析
全球基站端射频器件的供应商以 IDM 企业为主,主要有日本住友电工旗下的 SEDI 公司(Sumitomo Electric Device Innovations)、Infineon(RF 部门已出售给 Cree)、美国 Cree 旗下 Wolfspeed 公司、Qorvo 公司、MACOM 公司、Ampleon、韩国 RFHIC 等。
全球 GaN 射频器件供应商中,住友电工和 Cree 是行业的龙头企业,市场占有率均超过 30%,其次为 Qorvo 和 MACOM。住友电工在无线通信领域市场份额较大,其已成为华为核心供应商,为华为 GaN射频器件最大供应商。Cree 收购英飞凌 RF 部门后实力大增,LDMOS产品和 GaN 产品在全球都比较有竞争力。Qorvo 在国防和航天领域市场份额排名第一。
中国 GaN 器件 IDM 企业有苏州能讯、英诺赛科,大连芯冠科技正在布局,海威华芯和三安集成可提供 GaN 器件代工服务,其中海威华芯主要为军工服务。中电科 13 所、55 所同样拥有 GaN 器件制造能力。(yimu)
以上数据资料参考《 2020年中国氮化镓行业分析报告-市场运营态势与发展前景评估 》。
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