2018年中国电子元器件行业Micro LED 技术难点总览（图）

        Micro LED 显示是当下众多企业关注和研发的具有革命性的显示技术，但现阶段将 Micro LED 投入量产仍有巨量转移、全彩化、波长一致性等限制。
         
        在 LED 固晶上，每片显示器上要嵌入数百万颗微型 LED，良率要求控制在 99.9999%的状态。目前，对于 Micro LED 显示制造量产技术来说，巨量转移技术尚未克服，极大地限制其产业化应用。巨量转移是指将大量的点（分子或粒子）从一端移动到另一端，可以试单一阶段或者多重阶段，可以在汽液中发生，也可以在固体中发生。巨量转移的核心技术在于如何大量的、有选择的抓取微米级薄膜磊晶。在 Micro LED 生产中，就是要在保证良率和效率的条件下，将数百万至上千万微米级 LED 晶粒移动到电路基板上。以 4K TV 为例，需转移晶粒达 2400 万颗（以 4000 x 2000 RGB 三色计算），一次转移 1 万颗，仍需重复 2400 次。目前，巨量转移尚没有一个好的解决方案。 
        

 

        除巨量转移技术是最具难度外，使 RGB-LED 全彩显示并使 LED 中的红光部分在微米等级里提升 LED 亮度，困难程度也非常高。Micro LED 对于产品波长均匀性要求也更是严格。目前，市场标准下的蓝光 LED 波长均一性要求在±5-12nm，小间距显示波长均一性要求低至±1-1.5 nm，Micro LED 的波长均一性要求至少低于±1nm。 
        
        参考观研天下发布《 2018年中国电子元器件行业分析报告-市场运营态势与发展前景预测 》
        
        Micro LED 涉及的产业包括 LED、 半导体 、面板上下游供应链， 芯片 、机台、材料、检测设备等都与过去的规格相异，提高了技术的门槛，跨领域产业的沟通整合也增加了研发时程。