三星全球首发量产大容量eUFS3.0闪存芯片 全球存储芯片市场保持高速增长态势

        2月27日，三星发布新闻稿宣布，该公司将全球首发量产512GB eUFS3.0闪存芯片，这也使三星成为了全球唯一一家可以量产512GB eUFS3.0闪存芯片的公司。相较于目前的eUFS2.1，三星宣称eUFS3.0芯片连续读取速度可达2100MB/s，提升2倍有余；随机读写速度分别为63000IOPS/68000IOPS（输入/输出），比目前的eUFS2.1在随机读写速度方面提升36%。三星还透露，目前正在提升512GB与128GB UFS3.0闪存芯片产能，1TB和256GB容量版本预计今年下半年开始供货。
        
        根据SIA数据，2018年5月，全球半导体营收结构中，存储芯片仍以32%的占比位居第一。随着下游应用的需求，存储芯片开始成为集成电路产业的主力，成为半导体行业发展的主要驱动力。
        
        参考观研天下发布《 2018年中国芯片设计行业分析报告-市场运营态势与发展前景研究 》
        
        
        随着全球信息化浪潮汹涌澎湃，存储芯片市场保持了高速增长态势。数据显示，2017年全球存储芯片产业营收达1319亿美元，占半导体产业收入30%左右，过去五年复合增长率高达37%。其中DRAM和NAND市场规模达到730亿和550亿美元，分别占存储芯片市场的56%和40%。
        
        
        
        存储芯片市场集中度高，无论是 DRAM，还是 Nand Flash、Nor Flash 都呈现寡头垄断格局。DRAM 市场主要是三星、SK海力士、美光三家厂商占据，三星市占率约一半，三家巨头垄断存储市场九成份额。