氮化镓（GaN）是一种具有较大禁带宽度的半导体，是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。在第三代半导体材料中，GaN 因其综合性能较佳成为主要的发展方向。氮化镓产品在无线基础设施和国防军工领域的应用规模最大，占比分别达54.6%和26.5%，通讯设备的升级和军事领域市场的扩大将带给氮化镓产品较大市场空间。
半导体
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Si
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SiC
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GaN
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特性
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单位
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带隙
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Ev
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1.1
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3.26
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3.40
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电子迁移率
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cm/Vs
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1500
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700
|
2000
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电子峰值速度
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|
1.0
|
2.0
|
2.1
|
临界电场
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MV/cm
|
0.3
|
3.0
|
3.0
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热导率
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W/cm.k
|
1.5
|
4.5
|
＞1.5
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相对介电常数
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εr
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11.8
|
10.0
|
9.0
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5G技术的建设和发展对高温、高功率、高压、高频的器件的电子技术要求进一步提高，而氮化镓作为第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，是实现5G的关键材料；同时，氮化镓高功率密度可以满足大范围的 5G 网络 覆盖对运营商部署更高功率和运行频率的设备要求。2019年我国正式进入5G商用元年，我国 5G 宏基站建设数量快速增长，将会拉动基站端 GaN 射频器件的需求量，预计2023 年基站端 GaN 射频器件规模将达到112.6亿元。
以上数据资料参考《 2020年中国氮化镓行业分析报告-市场运营态势与发展前景评估 》。
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